EN Samsung Electronics has patented a three-step staircase-plus-curved dummy die structure for HBM packages, targeting the structural stress and yield problems that grow worse as memory stacks climb toward HBM4E and HBM5.
KO 삼성전자가 고적층 HBM 패키지의 구조적 안정성과 수율 문제를 해결하기 위해 스택 최상단 더미 다이 측면을 3단 계단식+곡면으로 가공하는 신기술 특허를 출원했다.
EN The dummy die is easy to overlook — it sits at the top of the stack doing nothing but holding shape — but warping under thermal cycles is one of the silent killers of HBM yield. Filing this now, as competitors race toward 16-hi and beyond, signals Samsung is prioritizing structural reliability rather than just raw layer count. It's a quiet but meaningful competitive signal in an arms race where packaging failure modes compound with every added die.
KO 더미 다이는 구조적으로는 아무것도 하지 않지만 열 사이클에서 패키지 뒤틀림을 막는 핵심이다. HBM4E·HBM5 시대를 앞두고 레이어 수보다 수율 안정성에 먼저 집중한다는 신호로 읽힌다. HBM 패키징 경쟁에서 삼성이 어느 쪽에 베팅하는지를 조용히 드러내는 특허다.
- dummy die — 더미 다이 — 기능 없이 패키지 구조 안정을 위해 스택 최상단에 올리는 비활성 칩
- yield — 수율 — 생산된 칩 중 정상 동작하는 비율
- high-bandwidth memory (HBM) — 고대역폭 메모리 — AI·GPU 연산에 쓰이는 초고속 적층 메모리